
UUSI M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1. TUOTTEEN TEKNISET TIEDOT Kapasiteetti − 128 Gt, 256 Gt, 512 Gt, 1024 Gt, 2048 Gt − Tuki 32-bittiosoitetilaa Sähköinen/fyysinen liitäntä − PCIe-liitäntä − Yhteensopiva NVMe 1.3:n kanssa − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 kaista ja taaksepäin yhteensopiva...
M.{0}} S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7
1. TUOTTEEN TEKNISET TIEDOT
Kapasiteetti
– 128 Gt, 256 Gt, 512 Gt, 1024 Gt, 2048 Gt
− Tuki 32-bittiosoitetilaa
Sähköinen/fyysinen liitäntä
− PCIe-liitäntä
− Yhteensopiva NVMe 1.3:n kanssa
− PCIe Express Base Ver 3.1
− PCIe Gen 3 x 4 kaista ja taaksepäin yhteensopiva PCIe Gen 2 ja Gen 1 kanssa
− Tuki QD 128:aan asti ja jonon syvyys jopa 64K
− Tukee virranhallintaa
Tuettu NAND Flash
− Tukee jopa 16 Flash Chip Enables -toimintoa (CE) yhdessä mallissa
− Tukee jopa 4 kpl BGA132-salamaa
− Tuki 8-bit I/O NAND Flash
− Tuki Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 ja ONFI 4.0
Samsung V6 3D NAND
Hynix V7 3D NAND
ECC-järjestelmä
− HG2283 PCIe SSD käyttää ECC-algoritmin LDPC:tä.
Sektorin koon tuki
− 512B
– 4KB
UART/GPIO
Tukee SMART- ja TRIM-komentoja
LBA-alue
− IDEMA-standardi
Esitys
HG2283 plus Hynix V7 (1200 Mbps) suorituskyky
|
Kapasiteetti |
Flash-rakenne (BGA-paketti) |
CE# |
Salaman tyyppi |
Peräkkäinen (CDM) |
IOMeter |
||
|
Lue (MB/s) |
Kirjoita (MB/s) |
Lue (IOPS) |
Kirjoita (IOPS) |
||||
|
128GB |
DDP x 1 |
2 |
BGA132, Hynix V7 |
1650 |
1100 |
195K |
260K |
|
256GB |
DDP x 2 |
4 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
1850 |
360K |
450K |
|
512GB |
QDP x 2 |
8 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2090 |
360K |
475K |
|
1024GB |
QDP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
|
2048GB |
ODP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
HUOM:
1. Suorituskyky perustui Hynix V7 TLC NAND -salamaan.
TEHON KULUTUS
|
Kapasiteetti |
Flash-kokoonpano (BGA-paketti) |
|
Tehon kulutus3 |
|
|
|
Lue (mW) |
Kirjoita (mW) |
PS3 (mW) |
PS4 (mW) |
||
|
128GB |
DDP x 1 |
2940 |
2530 |
50 |
5 |
|
256GB |
DDP x 2 |
4120 |
3400 |
50 |
5 |
|
512GB |
QDP x 2 |
4090 |
3390 |
50 |
5 |
|
1024GB |
QDP x 4 |
4050 |
3380 |
50 |
5 |
|
2048GB |
ODP x 4 |
4440 |
3810 |
50 |
5 |
HUOM:
1. Mitatut tiedot perustuvat Hynix V7 512Gb mono die TLC Flashiin.
2. Virrankulutusta mitataan IOMeterin suorittamien peräkkäisten luku- ja kirjoitustoimintojen aikana.
Flashin hallinta
1.4.1. Error Correction Code (ECC)
Flash-muistisolut heikkenevät käytössä, mikä saattaa aiheuttaa satunnaisia bittivirheitä tallennettuun dataan. Siten HG2283 PCIe SSD käyttää ECC-algoritmin LDPC (Low Density Parity Check) -algoritmia, joka voi havaita ja korjata lukuprosessin aikana ilmenevät virheet, varmistaa, että tiedot luetaan oikein, sekä suojata tietoja korruptiolta.
1.4.2. Kulumisen tasoitus
NAND-flash-laitteet voivat käydä läpi vain rajoitetun määrän ohjelmointi-/poistojaksoja, kun flash-mediaa ei käytetä tasaisesti, jotkut lohkot päivittyvät useammin kuin toiset ja laitteen käyttöikä lyhenisi huomattavasti. Siten kulumistasoa käytetään NAND-salaman käyttöiän pidentämiseksi jakamalla kirjoitus- ja poistojaksot tasaisesti medialle.
HosinGlobal tarjoaa edistyneen kulumisen tasoitusalgoritmin, joka voi tehokkaasti jakaa salaman käytön koko flash-media-alueelle. Lisäksi käyttämällä sekä dynaamisia että staattisia kulumista tasaavia algoritmeja NAND-salaman käyttöiän odote paranee huomattavasti.
1.4.3. Huono lohkohallinta
Virheelliset lohkot ovat lohkoja, jotka eivät toimi kunnolla tai sisältävät enemmän virheellisiä bittejä, mikä tekee tallennetusta tiedosta epävakaa, eikä niiden luotettavuutta taata. Lohkoja, jotka valmistaja tunnistaa ja merkitsee huonoiksi, kutsutaan "varhaisiksi huonoiksi lohkoiksi". Huonot lohkot, jotka kehittyvät salaman elinkaaren aikana, ovat nimeltään "Later Bad Blocks". HosinGlobal ottaa käyttöön tehokkaan huonojen lohkojen hallintaalgoritmin tehdasvalmisteisten huonojen lohkojen havaitsemiseksi ja hallitsee käytössä ilmeneviä huonoja lohkoja. Tämä käytäntö estää tietojen tallentamisen huonoihin lohkoihin ja parantaa edelleen tietojen luotettavuutta.
1.4.4. TRIMMATA
TRIM on ominaisuus, joka auttaa parantamaan SSD-asemien luku-/kirjoitussuorituskykyä ja nopeutta. Toisin kuin kiintolevyasemat (HDD), SSD-levyt eivät pysty korvaamaan olemassa olevia tietoja, joten käytettävissä oleva tila pienenee vähitellen jokaisella käyttökerralla. TRIM-komennolla käyttöjärjestelmä voi informoida SSD:tä, jotta tietolohkot, jotka eivät ole enää käytössä, voidaan poistaa pysyvästi. Siten SSD suorittaa poistotoiminnon, joka estää käyttämättömiä tietoja valtaamasta lohkoja koko ajan.
1.4.5. FIKSU
SMART, lyhenne sanoista Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, on avoin standardi, jonka avulla solid-state-asema voi havaita automaattisesti kuntonsa ja raportoida mahdollisista vioista. Kun SMART tallentaa vian, käyttäjät voivat vaihtaa aseman odottamattomien katkosten tai tietojen katoamisen estämiseksi. Lisäksi SMART voi ilmoittaa käyttäjille tulevista vioista, kun vielä on aikaa tehdä ennakoivia toimia, kuten tallentaa tietoja toiseen laitteeseen.
1.4.6. Ylitarjonta
Over Provisioning tarkoittaa SSD-levyn käyttäjän kapasiteetin ylittävän lisäalueen säilyttämistä, joka ei ole käyttäjien näkyvissä ja jota he eivät voi käyttää. Sen avulla SSD-ohjain voi kuitenkin käyttää lisätilaa suorituskyvyn ja WAF:n parantamiseksi. Over Provisioning -toiminnolla suorituskyky ja IOPS (Input/Output Operations per Second) paranevat tarjoamalla ohjaimelle lisätilaa P/E-syklien hallintaan, mikä parantaa myös luotettavuutta ja kestävyyttä. Lisäksi SSD-levyn kirjoitusvahvistus pienenee, kun
ohjain kirjoittaa tiedot salamaan.
1.4.7. Laiteohjelmiston päivitys
Laiteohjelmistoa voidaan pitää ohjesarjana siitä, kuinka laite kommunikoi isännän kanssa. Laiteohjelmisto päivitetään, kun uusia ominaisuuksia lisätään, yhteensopivuusongelmat korjataan tai luku-/kirjoitussuorituskyky paranee.
1.4.8. Terminen kuristus
Lämpökuristuksen tarkoituksena on estää SSD-levyn komponenttien ylikuumeneminen luku- ja kirjoitustoimintojen aikana. HG2283 on suunniteltu sisäänrakennetulla lämpöanturilla ja sen tarkkuudella; laiteohjelmisto voi käyttää erilaisia kuristustasoja saavuttaakseen suojauksen tarkoituksen tehokkaasti ja ennakoivasti SMART-lukemisen avulla.
1.5. Kehittyneet laitteen suojausominaisuudet
1.5.1. Turvallinen tyhjennys
Secure Erase on tavallinen NVMe-muotoinen komento, joka kirjoittaa kaikki "0x00" tyhjentääkseen kaikki tiedot kiintolevyiltä ja SSD-levyiltä. Kun tämä komento annetaan, SSD-ohjain tyhjentää tallennuslohkonsa ja palaa tehdasasetuksiinsa.
1.5.2. Salauksen poistaminen
Crypto Erase on ominaisuus, joka poistaa kaikki tiedot OPAL-aktivoidulta SSD-levyltä tai "SED" (Security-Enabled Disk) -asemalta nollaamalla levyn salausavaimen. Koska avainta muutetaan, aiemmin salatut tiedot muuttuvat hyödyttömiksi, mikä saavuttaa tietoturvallisuuden tarkoituksen.
1.5.3. Fyysisen läsnäolon SID (PSID)
TCG OPAL määrittelee Physical Presence SID:n (PSID) 32-merkkijonoksi, ja sen tarkoituksena on palauttaa SSD takaisin valmistusasetuksiinsa, kun asema on vielä OPAL-aktivoitu. PSID-koodi voidaan tulostaa SSD-tarralle, kun OPAL-aktivoitu SSD tukee PSID-palautusominaisuutta.
1.6. SSD Lifetime Management
1.6.1. Kirjoitettu teratavua (TBW)
TBW (Terabytes Written) on SSD-levyjen odotetun käyttöiän mitta, joka edustaa datan määrää.
kirjoitettu laitteeseen. SSD-levyn TBW:n laskemiseen käytetään seuraavaa yhtälöä:
TBW = [(NAND Endurance) x (SSD:n kapasiteetti)] / [WAF]
NAND Endurance: NAND-kestävyys viittaa NAND-salaman P/E-jaksoon (Ohjelma/Poista).
SSD:n kapasiteetti: SSD-levyn kapasiteetti on SSD-levyn kokonaiskapasiteetti.
WAF: Kirjoitusvahvistuskerroin (WAF) on numeerinen arvo, joka edustaa suhdetta SSD-ohjaimen kirjoitettavan datamäärän ja isännän flash-ohjaimen kirjoittaman datamäärän välillä. Parempi WAF, joka on lähellä 1, takaa paremman kestävyyden ja pienemmän taajuuden flash-muistiin kirjoitetuille tiedoille.
Tämän asiakirjan TBW perustuu JEDEC 218/219 -työkuormaan.
1.6.2. Median kulumisen ilmaisin
SMART Attribute byte index [5] ilmoittama todellisen käyttöiän ilmaisin, käytetty prosenttiosuus, suosittelee käyttäjää vaihtamaan aseman 100 prosentin saavuttaessa.
1.6.3. Vain luku -tila (käyttöiän loppu)
Kun asemaa vanhenevat kumuloituneet ohjelma-/poistojaksot, median kuluminen voi aiheuttaa lisääntyviä myöhempiä virheellisiä lohkoja. Kun käyttökelpoisten hyvien lohkojen määrä jää määritellyn käyttöalueen ulkopuolelle, asema ilmoittaa isännälle AER-tapahtuman ja kriittisen varoituksen kautta siirtyäkseen vain luku -tilaan estääkseen tietojen vahingoittumisen. Käyttäjän tulee välittömästi alkaa vaihtaa asemaa toiseen.
1.7. Mukautuva lähestymistapa suorituskyvyn viritykseen
1.7.1. Läpäisykyky
Levyn käytettävissä olevan tilan perusteella HG2283 säätelee luku-/kirjoitusnopeutta ja hallitsee suoritustehoa. Kun tilaa on vielä paljon, laiteohjelmisto suorittaa jatkuvasti luku-/kirjoitustoimintoja. Muistin varaamiseksi ja vapauttamiseksi ei edelleenkään ole tarvetta ottaa käyttöön roskienkeruuta, mikä nopeuttaa luku-/kirjoituskäsittelyä suorituskyvyn parantamiseksi. Päinvastoin, kun tila on käytetty loppuun, HG2283 hidastaa luku-/kirjoituskäsittelyä ja toteuttaa roskienkeruun vapauttaakseen muistia. Tästä syystä luku-/kirjoitussuorituskyky hidastuu.
1.7.2. Ennusta & Hae
Normaalisti, kun isäntä yrittää lukea tietoja PCIe SSD:ltä, PCIe SSD suorittaa vain yhden lukutoiminnon saatuaan yhden komennon. HG2283 käyttää kuitenkin Predict & Fetchiä lukunopeuden parantamiseksi. Kun isäntä antaa peräkkäisiä lukukomentoja PCIe SSD:lle, PCIe SSD odottaa automaattisesti, että myös seuraavat ovat lukukomentoja. Näin ollen ennen seuraavan komennon vastaanottamista flash on jo valmistellut tiedot. Vastaavasti tämä nopeuttaa tietojen käsittelyaikaa, eikä isännän tarvitse odottaa niin kauan tietojen vastaanottamista.
1.7.3. SLC-välimuisti
HG2283:n laiteohjelmiston suunnittelu käyttää tällä hetkellä dynaamista välimuistia parantaakseen suorituskykyä ja parantaakseen kestävyyttä ja kuluttajien käyttökokemusta.
3.1. Ympäristöolosuhteet 3.1.1. Lämpötila ja kosteus
Taulukko 3-1 Korkea lämpötila
|
|
Lämpötila |
Kosteus |
|
Operaatio |
70 astetta |
0 prosenttia RH |
|
Varastointi |
85 astetta |
0 prosenttia RH |
Taulukko 3-2 Matala lämpötila
|
|
Lämpötila |
Kosteus |
|
Operaatio |
0 astetta |
0 prosenttia RH |
|
Varastointi |
-40 astetta |
0 prosenttia RH |
Taulukko 3-3 Korkea kosteus
|
|
Lämpötila |
Kosteus |
|
Operaatio |
40 astetta |
90 prosenttia RH |
|
Varastointi |
40 astetta |
93 prosenttia RH |
Taulukko 3-4 Lämpötilapyöräily
|
|
Lämpötila |
|
Operaatio |
0 astetta |
|
70 astetta1 |
|
|
Varastointi |
-40 astetta |
|
85 astetta |
Huomautuksia:
1. Käyttölämpötila mitataan kotelon lämpötilalla, jossa voidaan päättää SMART Airflow -ohjelman avulla, ja se mahdollistaa laitteen käytön kullekin komponentille sopivassa lämpötilassa raskaan työmäärän aikana.
3.1.2. Shokki
Taulukko 3-5 Shokki
|
|
Kiihtyvyysvoima |
|
Ei toiminnassa |
1500G |
3.1.3. Tärinä
Taulukko 3-6 Tärinä
|
|
Cond |
tiota |
|
Taajuus/siirtymä |
Taajuus/kiihtyvyys |
|
|
Ei toiminnassa |
20Hz ~ 80Hz/1,52mm |
80Hz ~ 2000Hz/20G |
3.1.4. Pudota
Taulukko 3-7 Pudota
|
|
|
Pudotuksen korkeus |
|
|
Pudotuksen määrä |
|
Ei toiminnassa |
|
80 cm vapaa pudotus |
|
|
6 kunkin yksikön pintaa |
|
3.1.5. Taivutus |
Taulukko 3-8 Taivutus |
|
|
||
|
|
|
Pakottaa |
|
|
Toiminta |
|
Ei toiminnassa |
|
Suurempi tai yhtä suuri kuin 20N |
|
|
Pidä 1 min/5 kertaa |
|
3.1.6. Vääntömomentti |
Taulukko 3-9 Vääntömomentti |
|
|
||
|
|
|
Pakottaa |
|
|
Toiminta |
|
Ei toiminnassa |
|
0,5N-m tai ±2,5 astetta |
|
|
Pidä 1 min/5 kertaa |
|
3.1.7. Sähköstaattinen purkaus (ESD) |
Taulukko 3-10 ESD |
|
|
||
|
Erittely |
|
|
plus /- 4KV |
|
|
|
EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 ja IEC 61000-4-2 |
Tämä vaikuttaa laitteen toimintoihin, mutta EUT palaa normaaliin tai toimintatilaan automaattisesti. |
||||
4. SÄHKÖTEKNISET TIEDOT
4.1. Syöttöjännite
Taulukko 4-1 Syöttöjännite
|
Parametri |
Luokitus |
|
Käyttöjännite |
Minimi=3.14 V Maks.=3.47 V |
|
Nousuaika (max/min) |
10 ms / 0,1 ms |
|
Syksy (max/min) |
1500 ms / 1 ms |
|
Min. Vapaa-aika1 |
1500 ms |
HUOMAUTUS:
1. Vähimmäisaika SSD-levyltä virran katkaisun (Vcc < 100 mV) ja virran kytkemisen välillä asemaan.
4.2. Tehon kulutus
Taulukko 4-2 Tehonkulutus mW
|
Kapasiteetti |
Flash-asetukset |
CE# |
Lue (maks.) |
Kirjoita (max) |
Lukea (Keskim.) |
Kirjoita (keskim.) |
|
128GB |
DDP x 1 |
2 |
3200 |
2930 |
2940 |
2530 |
|
256GB |
DDP x 2 |
4 |
4650 |
4560 |
4120 |
3400 |
|
512GB |
QDP x 2 |
8 |
5260 |
4190 |
4090 |
3390 |
|
1024GB |
QDP x 4 |
16 |
5350 |
6070 |
4050 |
3380 |
|
2048GB |
ODP x 4 |
16 |
6320 |
6650 |
4440 |
3810 |
HUOM:
Perustuu APF1Mxxx-sarjaan ympäristön lämpötilassa.
Tehonkulutuksen keskiarvo saavutetaan 100 prosentin muunnoshyötysuhteen perusteella.
Mitattu tehojännite on 3,3V.
PS1:n tallennuslaitteen lämpötilan tulisi pysyä vakiona tai laskea hieman kaikilla työkuormilla, jotta PS1:n todellisen tehon tulisi olla pienempi kuin PS0.
PS2:n tallennuslaitteen lämpötilan pitäisi laskea jyrkästi kaikissa työkuormissa, joten PS2:n todellisen tehon tulisi olla pienempi kuin PS1:ssä.
5. LIITTYMÄ
5.1. Pin-määritys ja kuvaukset
Taulukko {{0}} määrittää sisäisen NGFF-liittimen signaalin osoituksen SSD-käyttöä varten, joka on kuvattu PCI-SIG:n PCI Express M.2 -määrityksen versiossa 1.0.
Taulukko 5-1 HG2283 M:n pinojen määritys ja kuvaus.2 2280
|
Pin nro |
PCIe Pin |
Kuvaus |
|
1 |
GND |
CONFIG_3=GND |
|
2 |
3.3V |
3,3V lähde |
|
3 |
GND |
Maadoitus |
|
4 |
3.3V |
3,3V lähde |
|
5 |
PETn3 |
PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec |
|
6 |
N/C |
Ei yhteyttä |
|
7 |
PETp3 |
PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec |
|
8 |
N/C |
Ei yhteyttä |
|
9 |
GND |
Maadoitus |
|
10 |
LED1# |
Avoin tyhjennys, aktiivinen matala signaali. Näitä signaaleja käytetään antamaan lisäkorttiin tilailmaisimet järjestelmän toimittamien LED-laitteiden kautta. |
|
11 |
PERn3 |
PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla |
|
12 |
3.3V |
3,3V lähde |
|
13 |
PERp3 |
PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla |
|
14 |
3.3V |
3,3V lähde |
|
15 |
GND |
Maadoitus |
|
16 |
3.3V |
3,3V lähde |
|
17 |
PETn2 |
PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec |
|
18 |
3.3V |
3,3V lähde |
|
19 |
PETp2 |
PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec |
|
20 |
N/C |
Ei yhteyttä |
|
21 |
GND |
Maadoitus |
|
22 |
N/C |
Ei yhteyttä |
|
23 |
PERn2 |
PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla |
|
24 |
N/C |
Ei yhteyttä |
|
25 |
PERp2 |
PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla |
|
26 |
N/C |
Ei yhteyttä |
|
27 |
GND |
Maadoitus |
|
28 |
N/C |
Ei yhteyttä |
|
29 |
PETn1 |
PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec |
|
30 |
N/C |
Ei yhteyttä |
|
31 |
PETp1 |
PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec |
|
32 |
GND |
Maadoitus |
|
33 |
GND |
Maadoitus |
|
34 |
N/C |
Ei yhteyttä |
|
35 |
PERn1 |
PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla |
|
36 |
N/C |
Ei yhteyttä |
|
37 |
PERp1 |
PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla |
|
Pin nro |
PCIe Pin |
Kuvaus |
|
38 N/C |
Ei yhteyttä |
|
|
39 GND |
Maadoitus |
|
|
40 SMB_CLK (I/O) (0/1,8 V) |
SMBus Kello; Avaa tyhjennys lavalle vedetyllä |
|
|
41 |
PETn0 |
PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec |
|
42 |
SMB{{0}}TIEDOT (I/O) (0/1,8 V) |
SMBus-tiedot; Avaa tyhjennys lavalle vedetyllä. |
|
43 |
PETp0 |
PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec |
|
44 |
ALERT#(O) (0/1,8V) |
Hälytysilmoitus isännälle; Avaa viemäri ylösvetolavalla; Aktiivinen matala. |
|
45 |
GND |
Maadoitus |
|
46 |
N/C |
Ei yhteyttä |
|
47 |
PERn0 |
PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla |
|
48 |
N/C |
Ei yhteyttä |
|
49 |
PERp0 |
PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla |
|
50 |
PERST#(I)(0/3,3V) |
PE-Reset on kortin toiminnallinen palautus PCIe Mini CEM -määrityksen mukaisesti. |
|
51 |
GND |
Maadoitus |
|
52 |
CLKREQ#(I/O)(0/3,3V) |
Clock Request on referenssikellopyyntösignaali, sellaisena kuin se on määritelty PCIe Mini CEM -spesifikaatiossa; Käytetään myös L1 PM:n osavaltioissa. |
|
53 |
REFCLKn |
PCIe Reference Clock -signaalit (100 MHz), jotka on määritelty PCI Express M.2 -spesifikaatiossa. |
|
54 |
PEWAKE#(I/O)(0/3,3V) |
PCIe PME Wake. Avaa tyhjennys nostamalla lavalle; Aktiivinen matala. |
|
55 |
REFCLKp |
PCIe Reference Clock -signaalit (100 MHz), jotka on määritelty PCI Express M.2 -spesifikaatiossa. |
|
56 |
Varattu MFG DATA:lle |
Valmistustiedot rivi. Käytetty vain SSD-levyjen valmistukseen. Ei käytössä normaalikäytössä. Nastat tulee jättää N/C alustan liitäntään. |
|
57 |
GND |
Maadoitus |
|
58 |
Varattu MFG CLOCKille |
Manufacturing Clock linja. Käytetty vain SSD-levyjen valmistukseen. Ei käytössä normaalikäytössä. Nastat tulee jättää N/C alustan liitäntään. |
|
59 |
Moduulin avain M |
Moduulin avain |
|
60 |
Moduulin avain M |
|
|
61 |
Moduulin avain M |
|
|
62 |
Moduulin avain M |
|
|
63 |
Moduulin avain M |
|
|
64 |
Moduulin avain M |
|
|
65 |
Moduulin avain M |
|
|
66 |
Moduulin avain M |
|
|
67 |
N/C |
Ei yhteyttä |
|
68 |
SUSCLK (32KHz) (I)(0/3.3V) |
32,768 kHz kellosyöttö, jonka alustapiirisarja tarjoaa moduulin tehon ja kustannusten vähentämiseksi. |
|
69 |
NC |
CONFIG_1=Ei yhteyttä |
|
70 |
3.3V |
3,3V lähde |
|
71 |
GND |
Maadoitus |
|
72 |
3.3V |
3,3V lähde |
|
73 |
GND |
Maadoitus |
|
74 |
3.3V |
3,3V lähde |
|
75 |
GND |
CONFIG_2=Maa |
Muototekijä: M.{0}} S2
Mitat: 80.00mm (P) x 22.00mm (L) x 2,15 mm (K)
|
Näytä suunta |
Kaavio |
|
Ylös |
![]()
|
|
Pohja |
|
|
Näytä suunta |
Kaavio |
|
Sivu |
|
|
|
|

Kuva 7-1 Tuotteen mekaaninen kaavio ja mitat
8. SOVELTAMISOHJEET
8.1. Wafer Level Chip Scale Packaging (WLCSP) käsittelyyn liittyvät varotoimet
Yhdelle SSD-laitteelle on koottu paljon komponentteja. Käsittele asemaa varoen, varsinkin jos siinä on WLCSP-komponentteja (Wafer Level Chip Scale Packaging), kuten PMIC, lämpöanturi tai kuormakytkin. WLCSP on yksi pakkaustekniikoista, joita käytetään laajalti pienempien jalanjälkien tekemiseen, mutta kaikki kolhut tai naarmut voivat vahingoittaa näitä erittäin pieniä osia, joten hellävarainen käsittely on erittäin suositeltavaa.
ÄLÄ PUDOTA SSD:tä
ASENNA SSD HUOLELLISESTI
RETETTY SSD OIKEASSA PAKKAUSSA
8.2. M-näppäin M.2 SSD-kokoonpanon varotoimet
M Key M.2 SSD (kuva 1) on yhteensopiva vain M Key (Kuva 2) -liitännän kanssa. Kuten käyttötapauksessa 2 näkyy, väärinkäyttö voi aiheuttaa vakavia vaurioita SSD:lle, mukaan lukien loppuunpalamisen.
Kuva 8-1 M Avain M.2 Kokoamiseen liittyvät varotoimet

Suositut Tagit: UUSI M.2 PCIE NVME SSD 256 Gt 512 Gt 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7, Kiina UUSI M.2 PCIE NVME SSD 256 Gt 512 Gt 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7
Lähetä kysely
















