video
M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
2280 NVME 1TB
2280 NVME PCIE 1TB
HG2263+V7
NVME 1T
2280 PCIE NVME 1TB
BULK USB PACKAGE
1/2
<< /span>
>

UUSI M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7

M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1. TUOTTEEN TEKNISET TIEDOT Kapasiteetti − 128 Gt, 256 Gt, 512 Gt, 1024 Gt, 2048 Gt − Tuki 32-bittiosoitetilaa Sähköinen/fyysinen liitäntä − PCIe-liitäntä − Yhteensopiva NVMe 1.3:n kanssa − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 kaista ja taaksepäin yhteensopiva...

                                               M.{0}} S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7

 

1. TUOTTEEN TEKNISET TIEDOT

 

Kapasiteetti

– 128 Gt, 256 Gt, 512 Gt, 1024 Gt, 2048 Gt

− Tuki 32-bittiosoitetilaa

Sähköinen/fyysinen liitäntä

− PCIe-liitäntä

− Yhteensopiva NVMe 1.3:n kanssa

− PCIe Express Base Ver 3.1

− PCIe Gen 3 x 4 kaista ja taaksepäin yhteensopiva PCIe Gen 2 ja Gen 1 kanssa

− Tuki QD 128:aan asti ja jonon syvyys jopa 64K

− Tukee virranhallintaa

Tuettu NAND Flash

− Tukee jopa 16 Flash Chip Enables -toimintoa (CE) yhdessä mallissa

− Tukee jopa 4 kpl BGA132-salamaa

− Tuki 8-bit I/O NAND Flash

− Tuki Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 ja ONFI 4.0

Samsung V6 3D NAND

Hynix V7 3D NAND

ECC-järjestelmä

− HG2283 PCIe SSD käyttää ECC-algoritmin LDPC:tä.

Sektorin koon tuki

   − 512B

– 4KB

UART/GPIO

Tukee SMART- ja TRIM-komentoja

LBA-alue

− IDEMA-standardi

 

 

Esitys                 

 

HG2283 plus Hynix V7 (1200 Mbps) suorituskyky

Kapasiteetti

Flash-rakenne (BGA-paketti)

CE#

Salaman tyyppi

Peräkkäinen (CDM)

IOMeter

Lue (MB/s)

Kirjoita (MB/s)

Lue (IOPS)

Kirjoita (IOPS)

128GB

DDP x 1

2

BGA132, Hynix V7

1650

1100

195K

260K

256GB

DDP x 2

4

BGA132, Hynix V7

3100

1850

360K

450K

512GB

QDP x 2

8

BGA132, Hynix V7

3100

2090

360K

475K

1024GB

QDP x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

2048GB

ODP x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

HUOM:

1. Suorituskyky perustui Hynix V7 TLC NAND -salamaan.

 

TEHON KULUTUS

Kapasiteetti

Flash-kokoonpano (BGA-paketti)

 

Tehon kulutus3

 

Lue (mW)

Kirjoita (mW)

PS3 (mW)

PS4 (mW)

128GB

DDP x 1

2940

2530

50

5

256GB

DDP x 2

4120

3400

50

5

512GB

QDP x 2

4090

3390

50

5

1024GB

QDP x 4

4050

3380

50

5

2048GB

ODP x 4

4440

3810

50

5

HUOM:

1. Mitatut tiedot perustuvat Hynix V7 512Gb mono die TLC Flashiin.

2. Virrankulutusta mitataan IOMeterin suorittamien peräkkäisten luku- ja kirjoitustoimintojen aikana.

 

Flashin hallinta

1.4.1. Error Correction Code (ECC)

Flash-muistisolut heikkenevät käytössä, mikä saattaa aiheuttaa satunnaisia ​​bittivirheitä tallennettuun dataan. Siten HG2283 PCIe SSD käyttää ECC-algoritmin LDPC (Low Density Parity Check) -algoritmia, joka voi havaita ja korjata lukuprosessin aikana ilmenevät virheet, varmistaa, että tiedot luetaan oikein, sekä suojata tietoja korruptiolta.

 

1.4.2. Kulumisen tasoitus

NAND-flash-laitteet voivat käydä läpi vain rajoitetun määrän ohjelmointi-/poistojaksoja, kun flash-mediaa ei käytetä tasaisesti, jotkut lohkot päivittyvät useammin kuin toiset ja laitteen käyttöikä lyhenisi huomattavasti. Siten kulumistasoa käytetään NAND-salaman käyttöiän pidentämiseksi jakamalla kirjoitus- ja poistojaksot tasaisesti medialle.

 

HosinGlobal tarjoaa edistyneen kulumisen tasoitusalgoritmin, joka voi tehokkaasti jakaa salaman käytön koko flash-media-alueelle. Lisäksi käyttämällä sekä dynaamisia että staattisia kulumista tasaavia algoritmeja NAND-salaman käyttöiän odote paranee huomattavasti.

 

1.4.3. Huono lohkohallinta

Virheelliset lohkot ovat lohkoja, jotka eivät toimi kunnolla tai sisältävät enemmän virheellisiä bittejä, mikä tekee tallennetusta tiedosta epävakaa, eikä niiden luotettavuutta taata. Lohkoja, jotka valmistaja tunnistaa ja merkitsee huonoiksi, kutsutaan "varhaisiksi huonoiksi lohkoiksi". Huonot lohkot, jotka kehittyvät salaman elinkaaren aikana, ovat nimeltään "Later Bad Blocks". HosinGlobal ottaa käyttöön tehokkaan huonojen lohkojen hallintaalgoritmin tehdasvalmisteisten huonojen lohkojen havaitsemiseksi ja hallitsee käytössä ilmeneviä huonoja lohkoja. Tämä käytäntö estää tietojen tallentamisen huonoihin lohkoihin ja parantaa edelleen tietojen luotettavuutta.

 

1.4.4. TRIMMATA

TRIM on ominaisuus, joka auttaa parantamaan SSD-asemien luku-/kirjoitussuorituskykyä ja nopeutta. Toisin kuin kiintolevyasemat (HDD), SSD-levyt eivät pysty korvaamaan olemassa olevia tietoja, joten käytettävissä oleva tila pienenee vähitellen jokaisella käyttökerralla. TRIM-komennolla käyttöjärjestelmä voi informoida SSD:tä, jotta tietolohkot, jotka eivät ole enää käytössä, voidaan poistaa pysyvästi. Siten SSD suorittaa poistotoiminnon, joka estää käyttämättömiä tietoja valtaamasta lohkoja koko ajan.

 

1.4.5. FIKSU

SMART, lyhenne sanoista Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, on avoin standardi, jonka avulla solid-state-asema voi havaita automaattisesti kuntonsa ja raportoida mahdollisista vioista. Kun SMART tallentaa vian, käyttäjät voivat vaihtaa aseman odottamattomien katkosten tai tietojen katoamisen estämiseksi. Lisäksi SMART voi ilmoittaa käyttäjille tulevista vioista, kun vielä on aikaa tehdä ennakoivia toimia, kuten tallentaa tietoja toiseen laitteeseen.

 

1.4.6. Ylitarjonta

Over Provisioning tarkoittaa SSD-levyn käyttäjän kapasiteetin ylittävän lisäalueen säilyttämistä, joka ei ole käyttäjien näkyvissä ja jota he eivät voi käyttää. Sen avulla SSD-ohjain voi kuitenkin käyttää lisätilaa suorituskyvyn ja WAF:n parantamiseksi. Over Provisioning -toiminnolla suorituskyky ja IOPS (Input/Output Operations per Second) paranevat tarjoamalla ohjaimelle lisätilaa P/E-syklien hallintaan, mikä parantaa myös luotettavuutta ja kestävyyttä. Lisäksi SSD-levyn kirjoitusvahvistus pienenee, kun

ohjain kirjoittaa tiedot salamaan.

 

1.4.7. Laiteohjelmiston päivitys

Laiteohjelmistoa voidaan pitää ohjesarjana siitä, kuinka laite kommunikoi isännän kanssa. Laiteohjelmisto päivitetään, kun uusia ominaisuuksia lisätään, yhteensopivuusongelmat korjataan tai luku-/kirjoitussuorituskyky paranee.

 

1.4.8. Terminen kuristus

Lämpökuristuksen tarkoituksena on estää SSD-levyn komponenttien ylikuumeneminen luku- ja kirjoitustoimintojen aikana. HG2283 on suunniteltu sisäänrakennetulla lämpöanturilla ja sen tarkkuudella; laiteohjelmisto voi käyttää erilaisia ​​kuristustasoja saavuttaakseen suojauksen tarkoituksen tehokkaasti ja ennakoivasti SMART-lukemisen avulla.

 

1.5. Kehittyneet laitteen suojausominaisuudet

1.5.1. Turvallinen tyhjennys

Secure Erase on tavallinen NVMe-muotoinen komento, joka kirjoittaa kaikki "0x00" tyhjentääkseen kaikki tiedot kiintolevyiltä ja SSD-levyiltä. Kun tämä komento annetaan, SSD-ohjain tyhjentää tallennuslohkonsa ja palaa tehdasasetuksiinsa.

 

1.5.2. Salauksen poistaminen

Crypto Erase on ominaisuus, joka poistaa kaikki tiedot OPAL-aktivoidulta SSD-levyltä tai "SED" (Security-Enabled Disk) -asemalta nollaamalla levyn salausavaimen. Koska avainta muutetaan, aiemmin salatut tiedot muuttuvat hyödyttömiksi, mikä saavuttaa tietoturvallisuuden tarkoituksen.

 

1.5.3. Fyysisen läsnäolon SID (PSID)

TCG OPAL määrittelee Physical Presence SID:n (PSID) 32-merkkijonoksi, ja sen tarkoituksena on palauttaa SSD takaisin valmistusasetuksiinsa, kun asema on vielä OPAL-aktivoitu. PSID-koodi voidaan tulostaa SSD-tarralle, kun OPAL-aktivoitu SSD tukee PSID-palautusominaisuutta.

 

1.6. SSD Lifetime Management

1.6.1. Kirjoitettu teratavua (TBW)

TBW (Terabytes Written) on SSD-levyjen odotetun käyttöiän mitta, joka edustaa datan määrää.

kirjoitettu laitteeseen. SSD-levyn TBW:n laskemiseen käytetään seuraavaa yhtälöä:

TBW = [(NAND Endurance) x (SSD:n kapasiteetti)] / [WAF]

NAND Endurance: NAND-kestävyys viittaa NAND-salaman P/E-jaksoon (Ohjelma/Poista).

SSD:n kapasiteetti: SSD-levyn kapasiteetti on SSD-levyn kokonaiskapasiteetti.

WAF: Kirjoitusvahvistuskerroin (WAF) on numeerinen arvo, joka edustaa suhdetta SSD-ohjaimen kirjoitettavan datamäärän ja isännän flash-ohjaimen kirjoittaman datamäärän välillä. Parempi WAF, joka on lähellä 1, takaa paremman kestävyyden ja pienemmän taajuuden flash-muistiin kirjoitetuille tiedoille.

 

Tämän asiakirjan TBW perustuu JEDEC 218/219 -työkuormaan.

 

1.6.2. Median kulumisen ilmaisin

SMART Attribute byte index [5] ilmoittama todellisen käyttöiän ilmaisin, käytetty prosenttiosuus, suosittelee käyttäjää vaihtamaan aseman 100 prosentin saavuttaessa.

 

1.6.3. Vain luku -tila (käyttöiän loppu)

Kun asemaa vanhenevat kumuloituneet ohjelma-/poistojaksot, median kuluminen voi aiheuttaa lisääntyviä myöhempiä virheellisiä lohkoja. Kun käyttökelpoisten hyvien lohkojen määrä jää määritellyn käyttöalueen ulkopuolelle, asema ilmoittaa isännälle AER-tapahtuman ja kriittisen varoituksen kautta siirtyäkseen vain luku -tilaan estääkseen tietojen vahingoittumisen. Käyttäjän tulee välittömästi alkaa vaihtaa asemaa toiseen.

 

1.7. Mukautuva lähestymistapa suorituskyvyn viritykseen

1.7.1. Läpäisykyky

Levyn käytettävissä olevan tilan perusteella HG2283 säätelee luku-/kirjoitusnopeutta ja hallitsee suoritustehoa. Kun tilaa on vielä paljon, laiteohjelmisto suorittaa jatkuvasti luku-/kirjoitustoimintoja. Muistin varaamiseksi ja vapauttamiseksi ei edelleenkään ole tarvetta ottaa käyttöön roskienkeruuta, mikä nopeuttaa luku-/kirjoituskäsittelyä suorituskyvyn parantamiseksi. Päinvastoin, kun tila on käytetty loppuun, HG2283 hidastaa luku-/kirjoituskäsittelyä ja toteuttaa roskienkeruun vapauttaakseen muistia. Tästä syystä luku-/kirjoitussuorituskyky hidastuu.

1.7.2. Ennusta & Hae

Normaalisti, kun isäntä yrittää lukea tietoja PCIe SSD:ltä, PCIe SSD suorittaa vain yhden lukutoiminnon saatuaan yhden komennon. HG2283 käyttää kuitenkin Predict & Fetchiä lukunopeuden parantamiseksi. Kun isäntä antaa peräkkäisiä lukukomentoja PCIe SSD:lle, PCIe SSD odottaa automaattisesti, että myös seuraavat ovat lukukomentoja. Näin ollen ennen seuraavan komennon vastaanottamista flash on jo valmistellut tiedot. Vastaavasti tämä nopeuttaa tietojen käsittelyaikaa, eikä isännän tarvitse odottaa niin kauan tietojen vastaanottamista.

1.7.3. SLC-välimuisti

HG2283:n laiteohjelmiston suunnittelu käyttää tällä hetkellä dynaamista välimuistia parantaakseen suorituskykyä ja parantaakseen kestävyyttä ja kuluttajien käyttökokemusta.

 

3. YMPÄRISTÖTIEDOT

 

3.1. Ympäristöolosuhteet 3.1.1. Lämpötila ja kosteus

 

Taulukko 3-1 Korkea lämpötila

 

Lämpötila

Kosteus

Operaatio

70 astetta

0 prosenttia RH

Varastointi

85 astetta

0 prosenttia RH

 

Taulukko 3-2 Matala lämpötila

 

Lämpötila

Kosteus

Operaatio

0 astetta

0 prosenttia RH

Varastointi

-40 astetta

0 prosenttia RH

 

Taulukko 3-3 Korkea kosteus

 

Lämpötila

Kosteus

Operaatio

40 astetta

90 prosenttia RH

Varastointi

40 astetta

93 prosenttia RH

 

Taulukko 3-4 Lämpötilapyöräily

 

Lämpötila

Operaatio

0 astetta

70 astetta1

Varastointi

-40 astetta

85 astetta

 

Huomautuksia:

1. Käyttölämpötila mitataan kotelon lämpötilalla, jossa voidaan päättää SMART Airflow -ohjelman avulla, ja se mahdollistaa laitteen käytön kullekin komponentille sopivassa lämpötilassa raskaan työmäärän aikana.

 

3.1.2. Shokki

Taulukko 3-5 Shokki

 

Kiihtyvyysvoima

Ei toiminnassa

1500G

 

3.1.3. Tärinä

Taulukko 3-6 Tärinä

 

Cond

tiota

Taajuus/siirtymä

Taajuus/kiihtyvyys

Ei toiminnassa

20Hz ~ 80Hz/1,52mm

80Hz ~ 2000Hz/20G

 

3.1.4. Pudota

Taulukko 3-7 Pudota

 

 

Pudotuksen korkeus

 

 

Pudotuksen määrä

Ei toiminnassa

 

80 cm vapaa pudotus

 

 

6 kunkin yksikön pintaa

 

3.1.5. Taivutus

Taulukko 3-8 Taivutus

 

 

 

 

Pakottaa

 

 

Toiminta

Ei toiminnassa

 

Suurempi tai yhtä suuri kuin 20N

 

 

Pidä 1 min/5 kertaa

 

3.1.6. Vääntömomentti

Taulukko 3-9 Vääntömomentti

 

 

 

 

Pakottaa

 

 

Toiminta

Ei toiminnassa

 

0,5N-m tai ±2,5 astetta

 

 

Pidä 1 min/5 kertaa

 

3.1.7. Sähköstaattinen purkaus (ESD)

Taulukko 3-10 ESD

 

 

Erittely

 

 

plus /- 4KV

 

EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 ja IEC 61000-4-2

Tämä vaikuttaa laitteen toimintoihin, mutta EUT palaa normaaliin tai toimintatilaan automaattisesti.

 

4. SÄHKÖTEKNISET TIEDOT

 

4.1. Syöttöjännite

Taulukko 4-1 Syöttöjännite

Parametri

Luokitus

Käyttöjännite

Minimi=3.14 V Maks.=3.47 V

Nousuaika (max/min)

10 ms / 0,1 ms

Syksy (max/min)

1500 ms / 1 ms

Min. Vapaa-aika1

1500 ms

HUOMAUTUS:

1. Vähimmäisaika SSD-levyltä virran katkaisun (Vcc < 100 mV) ja virran kytkemisen välillä asemaan.

 

4.2. Tehon kulutus

Taulukko 4-2 Tehonkulutus mW

Kapasiteetti

Flash-asetukset

CE#

Lue (maks.)

Kirjoita (max)

Lukea

(Keskim.)

Kirjoita (keskim.)

128GB

DDP x 1

2

3200

2930

2940

2530

256GB

DDP x 2

4

4650

4560

4120

3400

512GB

QDP x 2

8

5260

4190

4090

3390

1024GB

QDP x 4

16

5350

6070

4050

3380

2048GB

ODP x 4

16

6320

6650

4440

3810

HUOM:

Perustuu APF1Mxxx-sarjaan ympäristön lämpötilassa.

Tehonkulutuksen keskiarvo saavutetaan 100 prosentin muunnoshyötysuhteen perusteella.

Mitattu tehojännite on 3,3V.

PS1:n tallennuslaitteen lämpötilan tulisi pysyä vakiona tai laskea hieman kaikilla työkuormilla, jotta PS1:n todellisen tehon tulisi olla pienempi kuin PS0.

PS2:n tallennuslaitteen lämpötilan pitäisi laskea jyrkästi kaikissa työkuormissa, joten PS2:n todellisen tehon tulisi olla pienempi kuin PS1:ssä.

 

 

5. LIITTYMÄ

 

5.1. Pin-määritys ja kuvaukset

Taulukko {{0}} määrittää sisäisen NGFF-liittimen signaalin osoituksen SSD-käyttöä varten, joka on kuvattu PCI-SIG:n PCI Express M.2 -määrityksen versiossa 1.0.

 

Taulukko 5-1 HG2283 M:n pinojen määritys ja kuvaus.2 2280

Pin nro

PCIe Pin

Kuvaus

1

GND

CONFIG_3=GND

2

3.3V

3,3V lähde

3

GND

Maadoitus

4

3.3V

3,3V lähde

5

PETn3

PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec

6

N/C

Ei yhteyttä

7

PETp3

PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec

8

N/C

Ei yhteyttä

9

GND

Maadoitus

10

LED1#

Avoin tyhjennys, aktiivinen matala signaali. Näitä signaaleja käytetään antamaan lisäkorttiin tilailmaisimet järjestelmän toimittamien LED-laitteiden kautta.

11

PERn3

PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla

12

3.3V

3,3V lähde

13

PERp3

PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla

14

3.3V

3,3V lähde

15

GND

Maadoitus

16

3.3V

3,3V lähde

17

PETn2

PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec

18

3.3V

3,3V lähde

19

PETp2

PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec

20

N/C

Ei yhteyttä

21

GND

Maadoitus

22

N/C

Ei yhteyttä

23

PERn2

PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla

24

N/C

Ei yhteyttä

25

PERp2

PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla

26

N/C

Ei yhteyttä

27

GND

Maadoitus

28

N/C

Ei yhteyttä

29

PETn1

PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec

30

N/C

Ei yhteyttä

31

PETp1

PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec

32

GND

Maadoitus

33

GND

Maadoitus

34

N/C

Ei yhteyttä

35

PERn1

PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla

36

N/C

Ei yhteyttä

37

PERp1

PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla

 

 

Pin nro

PCIe Pin

Kuvaus

38 N/C

Ei yhteyttä

39 GND

Maadoitus

40 SMB_CLK (I/O) (0/1,8 V)

SMBus Kello; Avaa tyhjennys lavalle vedetyllä

41

PETn0

PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec

42

SMB{{0}}TIEDOT (I/O) (0/1,8 V)

SMBus-tiedot; Avaa tyhjennys lavalle vedetyllä.

43

PETp0

PCIe TX -differentiaalisignaali, jonka määrittää PCI Express M.2 spec

44

ALERT#(O) (0/1,8V)

Hälytysilmoitus isännälle; Avaa viemäri ylösvetolavalla; Aktiivinen matala.

45

GND

Maadoitus

46

N/C

Ei yhteyttä

47

PERn0

PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla

48

N/C

Ei yhteyttä

49

PERp0

PCIe RX -differentiaalisignaali, joka on määritetty PCI Express M.2 -spesifikaatiolla

50

PERST#(I)(0/3,3V)

PE-Reset on kortin toiminnallinen palautus PCIe Mini CEM -määrityksen mukaisesti.

51

GND

Maadoitus

52

CLKREQ#(I/O)(0/3,3V)

Clock Request on referenssikellopyyntösignaali, sellaisena kuin se on määritelty PCIe Mini CEM -spesifikaatiossa; Käytetään myös L1 PM:n osavaltioissa.

53

REFCLKn

PCIe Reference Clock -signaalit (100 MHz), jotka on määritelty PCI Express M.2 -spesifikaatiossa.

54

PEWAKE#(I/O)(0/3,3V)

PCIe PME Wake.

Avaa tyhjennys nostamalla lavalle; Aktiivinen matala.

55

REFCLKp

PCIe Reference Clock -signaalit (100 MHz), jotka on määritelty PCI Express M.2 -spesifikaatiossa.

56

Varattu MFG DATA:lle

Valmistustiedot rivi. Käytetty vain SSD-levyjen valmistukseen.

Ei käytössä normaalikäytössä.

Nastat tulee jättää N/C alustan liitäntään.

57

GND

Maadoitus

58

Varattu MFG CLOCKille

Manufacturing Clock linja. Käytetty vain SSD-levyjen valmistukseen.

Ei käytössä normaalikäytössä.

Nastat tulee jättää N/C alustan liitäntään.

59

Moduulin avain M

Moduulin avain

60

Moduulin avain M

61

Moduulin avain M

62

Moduulin avain M

63

Moduulin avain M

64

Moduulin avain M

65

Moduulin avain M

66

Moduulin avain M

67

N/C

Ei yhteyttä

68

SUSCLK (32KHz)

(I)(0/3.3V)

32,768 kHz kellosyöttö, jonka alustapiirisarja tarjoaa moduulin tehon ja kustannusten vähentämiseksi.

69

NC

CONFIG_1=Ei yhteyttä

70

3.3V

3,3V lähde

71

GND

Maadoitus

72

3.3V

3,3V lähde

73

GND

Maadoitus

74

3.3V

3,3V lähde

75

GND

CONFIG_2=Maa

 

7. FYSIKAALINEN ULOTTUVUUS

Muototekijä: M.{0}} S2

Mitat: 80.00mm (P) x 22.00mm (L) x 2,15 mm (K)

 

Näytä suunta

Kaavio

Ylös

product-226-319product-266-169

 

Pohja

product-477-537

 

Näytä suunta

Kaavio

Sivu

      

product-215-578

 

product-759-182

Kuva 7-1 Tuotteen mekaaninen kaavio ja mitat

 

8. SOVELTAMISOHJEET

8.1. Wafer Level Chip Scale Packaging (WLCSP) käsittelyyn liittyvät varotoimet

Yhdelle SSD-laitteelle on koottu paljon komponentteja. Käsittele asemaa varoen, varsinkin jos siinä on WLCSP-komponentteja (Wafer Level Chip Scale Packaging), kuten PMIC, lämpöanturi tai kuormakytkin. WLCSP on yksi pakkaustekniikoista, joita käytetään laajalti pienempien jalanjälkien tekemiseen, mutta kaikki kolhut tai naarmut voivat vahingoittaa näitä erittäin pieniä osia, joten hellävarainen käsittely on erittäin suositeltavaa.

 

product-37-32ÄLÄ PUDOTA SSD:tä

product-37-32ASENNA SSD HUOLELLISESTI

product-37-32RETETTY SSD OIKEASSA PAKKAUSSA

 

8.2. M-näppäin M.2 SSD-kokoonpanon varotoimet

M Key M.2 SSD (kuva 1) on yhteensopiva vain M Key (Kuva 2) -liitännän kanssa. Kuten käyttötapauksessa 2 näkyy, väärinkäyttö voi aiheuttaa vakavia vaurioita SSD:lle, mukaan lukien loppuunpalamisen.

 

 

Kuva 8-1 M Avain M.2 Kokoamiseen liittyvät varotoimet

 

product-1007-439

 

 

Suositut Tagit: UUSI M.2 PCIE NVME SSD 256 Gt 512 Gt 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7, Kiina UUSI M.2 PCIE NVME SSD 256 Gt 512 Gt 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7

Lähetä kysely

(0/10)

clearall